1月2日，商务部发布公告，根据《中华人民共和国出口管制法》和《中华人民共和国两用物项出口管制条例》等法律法规有关规定，为维护国家安全和利益，履行防扩散等国际义务，决定将通用动力公司等28家美国实体列入出口管制管控名单，并采取以下措施：
一、禁止向上述28家美国实体出口两用物项;正在开展的相关出口活动应当立即停止。
二、特殊情况下确需出口的，出口经营者应当向商务部提出申请。
该公告自公布之日起正式实施。
在此次商务部公布的出口管制名单中有一家半导体公司，那就是英特磊公司。据悉，英特磊科技股份有限公司于2011年4月26日在开曼群岛设立，营运主体位于美国得州，是全球磷化铟、锑化镓磊芯片代工领导厂商，采用MBE技术从事砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)等III-V族化合物半导体磊晶(Epi)的生产，具有基板到磊晶的垂直整合技术能力，提供无线通讯、卫星通讯、光纤通讯等商业，以及太空与国防上的红外线感测、夜视、摄影等产品应用。
磊晶是一种用于半导体器件制造过程中，在原有晶片上长出新结晶，以制成新半导体层的技术。此技术又称磊晶成长，可用以制造硅晶体管到CMOS集成电路等各种元件，在制作化合物半导体例如砷化镓时，磊晶尤其重要;砷化镓是一种重要的半导体材料，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，禁带宽度1.4电子伏;磷化铟是一种无机化合物，主要用作半导体材料，用于光纤通讯技术。
2017年光器件市场份额前三的厂商分别为Finisar、Lumemtum和Oclaro。其中，Finisar与英特磊在光通讯应用磷化铟PIN、APD产品合作密切，英特磊会为Finisar的VCSEL订单代工。当时任英特磊科技代理发言人范振隆曾表示公司获得的订单主要供应中国手机品牌厂。
2021年，英特磊董事长高永中表示针对5G需求所开发的GaN产品，2022年开始正式量产并贡献营收，客户对外延(Epi)品质反应良好。目前主要的服务偏重于高掺杂GaN二次生长，应用的是与国防、高端卫星通讯、5G相关的GaN HEMT外延片。
2023年，英特磊因生产基地大宗聚焦美国本土，宣布将申请美国《芯片与科学法案》补贴，并用来扩厂增效。2024年4月，英特磊宣布已成功获得德克萨斯州芯片法案提供的410万美元资金补助。这笔资金将直接助力公司在德州的扩厂计划，主要会用于支持德州二厂的扩建项目，预计将于2025年1月动工，包括增加生产设备、优化生产流程以及提升仓储能力等，预计能够显著提升公司的生产效率和产品质量。此外，英特磊透露，美国联邦芯片法案的补助申请已进入实质审查阶段，目前进度顺利。
随着AI市场的持续增长，英特磊主要产品磷化铟的需求有望提升，而锑化镓则在国防产品上的订单量增长迅速。高永中预计未来公司营运成长将达到20%至30%。
