随着技术升级，太阳能源的使用成本越来越低，且电池存储的成本也在不断降低，此次双方合作将会把清洁能源技术提升到新的水平，并提供先进、高效、智能的能源解决方案，助力碳达峰及碳中和目标。

6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。

尽管电动汽车发展迅速，但锂离子电池的安全性仍然令人担忧，其树枝状晶体具有多个分支，会导致电动汽车电池起火。据美国化学学会出版物官网近日消息，韩国研究人员已经使用半导体技术来提高锂离子电池的安全性。由储能研究中心李仲基(音译)博士领导的韩国科学技术研究所的研究小组，通过在锂电极表面形成保护性半导体钝化层，成功抑制了树枝状晶体的生长。

近日，中国科学院深圳先进技术研究院合成所副研究员王博团队联合江苏大学教授姜志锋、香港中文大学教授Po Keung Wong构建了一套简易高效的有机半导体材料(碘掺杂水热碳，I-HTCC)“外挂式”赋能大肠杆菌光驱动产氢体系。

4月17—18日，第十五届中国电子信息技术年会在重庆两江新区举行，在18日举行的年会主论坛上，多位院士向在场的2000余名观众分享了未来电子信息产业发展的亮点、趋势，其中半导体新材料成为不少与会专家重点关注的内容。

近年来，摩尔定律的发展方向似乎遇到了一些瓶颈。按照此前的预期，集成电路的晶体管数量有望每隔一段时间翻番。但现实是，随着制程的不断演进，热管理已成为了芯片突破的一个重要挑战。好消息是，弗吉尼亚大学工程学院和西北大学的研究人员们，刚刚打造了一种基于新型聚合物的电路绝缘材料，特点是能够在较小的空间内达成更高的功率。

日前，阿里巴巴达摩院预测了2021年科技趋势，其中位列第一的是以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用大爆发。第三代半导体与前两代有什么不同?为何这两年会成为爆发的节点?第三代半导体之后，什么材料会再领风骚?记者采访了专家。

谈到半导体行业，硅在电子领域占据了主导地位，但它的物理极限已接近尾声。为了更有效地为电网，机车甚至电动汽车供电，劳伦斯·利弗莫尔国家实验室(LLNL)的科学家正在将钻石作为超宽带隙半导体。

随着“新基建”的深入推进，工业互联网、高精尖芯片制造、超大型云计算中心、国家重大工程等各领域对UPS高可靠性、高功率密度需求愈加严苛，驱动超大功率UPS的需求日益增加。现代中国制造依托高可靠的超大功率UPS，可保障生产设备、厂务系统的连续、可靠运行。

据报道，软银集团开始与美国半导体制造商英伟达进行谈判，考虑出售旗下半导体设计厂商ARM的股份等进行重组。业界认为，此举将令全球半导体版图生变，对势头向好的英伟达来说，有望进一步巩固行业地位，而软银的投资方向也更集中于其他领域。

HEP表现出的氢释放速率比单组分无机HEP所能达到的氢释放速率高一个数量级。这为下一代储能技术奠定了基础。

美国研究人员15日在《自然》杂志上发表研究报告称，他们使用一种富含锂的新型半导体材料，开发出可装入口袋的小型中子半导体探测器。这种探测器高效且稳定，既可以作为便携式设备用于现场检查，也可以用在超大型探测设备上，有望成为新一代中子探测器。

光伏单晶硅片扩张周期开启，公司业绩显著受益。随着光伏单晶成本的下降，以及光电转换效率优势，单晶的趋势愈发明显。2019年预计单晶硅占比将达55%，超过多晶硅片，成为市场主导。

据了解，半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展，半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。公开资料显示，碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料中，研究最为成熟、市场应用前景最大的一种。碳化硅半导体材料综合性能是第一代半导体材料性能的数百倍到一千倍，在高温、高频、大功率、光电子以及抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。

在对韩国进行出口管制的同时，实际上日本半导体供应商的日子也不好过。如今丢失了韩国这一市场，日本半导体企业开始转向中国市场。